Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT23, LUGUANG ELECTRONIC, LGE2302, T123739

Distribuie
  • 0,41lei

  • Fără TVA:0,34lei

  • 100 sau mai multe 0,34lei
  • 365 sau mai multe 0,25lei
  • 840 sau mai multe 0,24lei
  • Disponibilitate:În Stoc (3412 buc.)

Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT23, LUGUANG ELECTRONIC, LGE2302

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 20V

Capsula: SOT23

Montare: SMD

Putere disipata: 0.35W

Curent drena: 2.1A

Caracteristici
Carcasa SOT23
Curent drena 2.1A
Incarcatura poarta 10nC
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 115mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 20V
Tensiune poarta-sursa ±8V

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha

Etichete: Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT23, LUGUANG ELECTRONIC, LGE2302