Tranzistor canal P, SMD, P-MOSFET, SO8, VISHAY - SI4477DY-T1-GE3
- Producător Vishay
- Cod produs:T254952
-
0,00lei
- Fără TVA:0,00lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor canal P, SMD, P-MOSFET, SO8, VISHAY - SI4477DY-T1-GE3
Tip tranzistor: P-MOSFET
Capsula: SO8
Polarizare: unipolar
Montare: SMD
Tensiune drena-sursa: -20V
Curent drena: -26.6A
Putere disipata: 4.2W
Rezistenta in timpul functionarii: 6.2mΩ
Tensiune poarta-sursa: ±12V
Producator: VISHAY
Caracteristici
| Carcasa | SO8 |
| Curent de drena in impuls | -60A |
| Curent drena | -26.6A |
| Incarcatura poarta | 190nC |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 6.2mΩ |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | -20V |
| Tensiune poarta-sursa | ±12V |