Tranzistor canal P, SMD, P-MOSFET, SO8, ONSEMI - FDS6673BZ

  • Producător Onsemi
  • Cod produs:T254627
Distribuie
  • 10,89lei

  • Fără TVA:9,15lei

  • 10 sau mai multe 7,36lei
  • 23 sau mai multe 4,60lei
  • 52 sau mai multe 4,35lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor canal P, SMD, P-MOSFET, SO8, ONSEMI - FDS6673BZ

Tip tranzistor: P-MOSFET

Capsula: SO8

Polarizare: unipolar

Montare: SMD

Tensiune drena-sursa: -30V

Curent drena: -14.5A

Putere disipata: 2.5W

Rezistenta in timpul functionarii: 12mΩ

Tensiune poarta-sursa: ±25V

Producator: ONSEMI

Caracteristici
Carcasa SO8
Curent drena -14.5A
Incarcatura poarta 65nC
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 12mΩ
Subtip ambalaj bandă, rolă
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa -30V
Tensiune poarta-sursa ±25V

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha