Tranzistor canal P, SMD, P-MOSFET, SO8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSO613SPVGXUMA1

Distribuie
  • 12,18lei

  • Fără TVA:10,07lei

  • 10 sau mai multe 8,40lei
  • 21 sau mai multe 5,47lei
  • 48 sau mai multe 5,18lei
  • Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (2498 buc.)

Tranzistor canal P, SMD, P-MOSFET, SO8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSO613SPVGXUMA1

Tip tranzistor: P-MOSFET

Capsula: SO8

Polarizare: unipolar

Montare: SMD

Tensiune drena-sursa: -60V

Curent drena: -3.44A

Putere disipata: 2.5W

Rezistenta in timpul functionarii: 130mΩ

Tensiune poarta-sursa: ±20V

Producator: INFINEON TECHNOLOGIES

Caracteristici
Carcasa SO8
Curent de drena in impuls -13.8A
Curent drena -3.44A
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 130mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa -60V
Tensiune poarta-sursa ±20V

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha