Tranzistor canal P, SMD, P-MOSFET, PowerPAK® SO8, VISHAY - SQJ457EP-T1_GE3
- Producător Vishay
- Cod produs:T255045
-
0,00lei
- Fără TVA:0,00lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor canal P, SMD, P-MOSFET, PowerPAK® SO8, VISHAY - SQJ457EP-T1_GE3
Tip tranzistor: P-MOSFET
Capsula: PowerPAK® SO8
Polarizare: unipolar
Montare: SMD
Tensiune drena-sursa: -60V
Curent drena: -36A
Putere disipata: 22W
Rezistenta in timpul functionarii: 50.4mΩ
Tensiune poarta-sursa: ±20V
Producator: VISHAY
Caracteristici
Carcasa | PowerPAK® SO8 |
Curent de drena in impuls | -100A |
Curent drena | -36A |
Incarcatura poarta | 100nC |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 50.4mΩ |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | -60V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |