Tranzistor canal P, SMD, P-MOSFET, PowerPAK® SO8, VISHAY - SQJ457EP-T1_GE3

  • Producător Vishay
  • Cod produs:T255045
Distribuie
  • 0,00lei

  • Fără TVA:0,00lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor canal P, SMD, P-MOSFET, PowerPAK® SO8, VISHAY - SQJ457EP-T1_GE3

Tip tranzistor: P-MOSFET

Capsula: PowerPAK® SO8

Polarizare: unipolar

Montare: SMD

Tensiune drena-sursa: -60V

Curent drena: -36A

Putere disipata: 22W

Rezistenta in timpul functionarii: 50.4mΩ

Tensiune poarta-sursa: ±20V

Producator: VISHAY

Caracteristici
Carcasa PowerPAK® SO8
Curent de drena in impuls -100A
Curent drena -36A
Incarcatura poarta 100nC
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 50.4mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa -60V
Tensiune poarta-sursa ±20V

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha