Tranzistor canal P, SMD, P-MOSFET, PowerPAK® SO8, VISHAY - SI7139DP-T1-GE3

  • Producător Vishay
  • Cod produs:T254969
Distribuie
  • 0,00lei

  • Fără TVA:0,00lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor canal P, SMD, P-MOSFET, PowerPAK® SO8, VISHAY - SI7139DP-T1-GE3

Tip tranzistor: P-MOSFET

Capsula: PowerPAK® SO8

Polarizare: unipolar

Montare: SMD

Tensiune drena-sursa: -30V

Curent drena: -40A

Putere disipata: 30W

Rezistenta in timpul functionarii: 5.5mΩ

Tensiune poarta-sursa: ±20V

Producator: VISHAY

Caracteristici
Carcasa PowerPAK® SO8
Curent de drena in impuls -70A
Curent drena -40A
Incarcatura poarta 146nC
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 5.5mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa -30V
Tensiune poarta-sursa ±20V

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha