Tranzistor canal P, SMD, P-MOSFET, PowerPAK® SO8, VISHAY - SI7139DP-T1-GE3
- Producător Vishay
- Cod produs:T254969
-
0,00lei
- Fără TVA:0,00lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor canal P, SMD, P-MOSFET, PowerPAK® SO8, VISHAY - SI7139DP-T1-GE3
Tip tranzistor: P-MOSFET
Capsula: PowerPAK® SO8
Polarizare: unipolar
Montare: SMD
Tensiune drena-sursa: -30V
Curent drena: -40A
Putere disipata: 30W
Rezistenta in timpul functionarii: 5.5mΩ
Tensiune poarta-sursa: ±20V
Producator: VISHAY
Caracteristici
Carcasa | PowerPAK® SO8 |
Curent de drena in impuls | -70A |
Curent drena | -40A |
Incarcatura poarta | 146nC |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 5.5mΩ |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | -30V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |