Tranzistor canal P, SMD, P-MOSFET, PowerPAK® 1212-8, VISHAY - SIS407DN-T1-GE3
- Producător Vishay
- Cod produs:T255007
-
10,35lei
- Fără TVA:8,55lei
-
- 5 sau mai multe 8,43lei
- 10 sau mai multe 7,45lei
- 22 sau mai multe 4,95lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor canal P, SMD, P-MOSFET, PowerPAK® 1212-8, VISHAY - SIS407DN-T1-GE3
Tip tranzistor: P-MOSFET
Capsula: PowerPAK® 1212-8
Polarizare: unipolar
Montare: SMD
Tensiune drena-sursa: -20V
Curent drena: -25A
Putere disipata: 21W
Rezistenta in timpul functionarii: 9.5mΩ
Tensiune poarta-sursa: ±8V
Producator: VISHAY
Caracteristici
| Carcasa | PowerPAK® 1212-8 |
| Curent de drena in impuls | -40A |
| Curent drena | -25A |
| Incarcatura poarta | 93.8nC |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 9.5mΩ |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | -20V |
| Tensiune poarta-sursa | ±8V |