Tranzistor canal P, SMD, P-MOSFET, PowerPAK® 1212-8, VISHAY - SIS407DN-T1-GE3
- Producător Vishay
- Cod produs:T255007
-
6,59lei
- Fără TVA:5,54lei
-
- 5 sau mai multe 5,90lei
- 22 sau mai multe 4,72lei
- 51 sau mai multe 4,47lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor canal P, SMD, P-MOSFET, PowerPAK® 1212-8, VISHAY - SIS407DN-T1-GE3
Tip tranzistor: P-MOSFET
Capsula: PowerPAK® 1212-8
Polarizare: unipolar
Montare: SMD
Tensiune drena-sursa: -20V
Curent drena: -25A
Putere disipata: 21W
Rezistenta in timpul functionarii: 9.5mΩ
Tensiune poarta-sursa: ±8V
Producator: VISHAY
Caracteristici
Carcasa | PowerPAK® 1212-8 |
Curent de drena in impuls | -40A |
Curent drena | -25A |
Incarcatura poarta | 93.8nC |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 9.5mΩ |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | -20V |
Tensiune poarta-sursa | ±8V |