Tranzistor canal P, SMD, P-MOSFET, PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD042P03L3GATMA1

Distribuie
  • 0,00lei

  • Fără TVA:0,00lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor canal P, SMD, P-MOSFET, PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD042P03L3GATMA1

Tip tranzistor: P-MOSFET

Capsula: PG-TO252-3

Polarizare: unipolar

Montare: SMD

Tensiune drena-sursa: -30V

Curent drena: -70A

Putere disipata: 150W

Rezistenta in timpul functionarii: 6.8mΩ

Tensiune poarta-sursa: ±20V

Producator: INFINEON TECHNOLOGIES

Caracteristici
Carcasa PG-TO252-3
Curent de drena in impuls -280A
Curent drena -70A
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 6.8mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa -30V
Tensiune poarta-sursa ±20V

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha