Tranzistor N-MOSFET x2, capsula SOT363, DIODES INCORPORATED - DMN3190LDW-7
- Producător Diodes Incorporated
- Cod produs:T122329
-
2,83lei
- Fără TVA:2,38lei
-
- 10 sau mai multe 1,26lei
- 50 sau mai multe 0,89lei
- 100 sau mai multe 0,78lei
- Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (619 buc.)
Tranzistor N-MOSFET x2, capsula SOT363, DIODES INCORPORATED - DMN3190LDW-7
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET x2
Tensiune drena-sursa: 30V
Capsula: SOT363
Montare: SMD
Putere disipata: 0.32W
Curent drena: 0.9A
Caracteristici
Caracteristici elemente semiconductoare | ESD protected gate |
Carcasa | SOT363 |
Curent de drena in impuls | 9.6A |
Curent drena | 0.9A |
Nivel dificultate | Avansat |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 0.19Ω |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | 30V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |
Tip produs | Datalogger |