Tranzistor N-MOSFET, capsula X2-DFN1010-3, DIODES INCORPORATED - DMN1045UFR4-7

Distribuie
  • 2,07lei

  • Fără TVA:1,74lei

  • 10 sau mai multe 1,40lei
  • 100 sau mai multe 0,75lei
  • 194 sau mai multe 0,47lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula X2-DFN1010-3, DIODES INCORPORATED - DMN1045UFR4-7

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 12V

Capsula: X2-DFN1010-3

Montare: SMD

Putere disipata: 1.26W

Curent drena: 3.2A

Caracteristici
Caracteristici elemente semiconductoare ESD protected gate
Carcasa X2-DFN1010-3
Curent drena 3.2A
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 0.1Ω
Subtip ambalaj bandă, rolă
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 12V
Tensiune poarta-sursa ±8V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha