Tranzistor N-MOSFET, capsula X1-DFN1006-3, DIODES INCORPORATED - DMN26D0UFB4-7
- Producător Diodes Incorporated
- Cod produs:T122312
-
1,08lei
- Fără TVA:0,89lei
-
- 25 sau mai multe 0,34lei
- 100 sau mai multe 0,30lei
- 360 sau mai multe 0,27lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula X1-DFN1006-3, DIODES INCORPORATED - DMN26D0UFB4-7
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 20V
Capsula: X1-DFN1006-3
Montare: SMD
Putere disipata: 0.35W
Curent drena: 0.18A
Caracteristici
| Caracteristici elemente semiconductoare | ESD protected gate |
| Carcasa | X1-DFN1006-3 |
| Curent drena | 0.18A |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 6Ω |
| Subtip ambalaj | bandă, rolă |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 20V |
| Tensiune poarta-sursa | ±10V |
| Tip produs | Datalogger |