Tranzistor N-MOSFET, capsula X1-DFN1006-3, DIODES INCORPORATED - DMN2400UFB4-7
- Producător Diodes Incorporated
- Cod produs:T122311
-
1,17lei
- Fără TVA:0,98lei
-
- 25 sau mai multe 0,37lei
- 100 sau mai multe 0,32lei
- 135 sau mai multe 0,26lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula X1-DFN1006-3, DIODES INCORPORATED - DMN2400UFB4-7
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 20V
Capsula: X1-DFN1006-3
Montare: SMD
Putere disipata: 0.47W
Curent drena: 0.63A
Caracteristici
Caracteristici elemente semiconductoare | ESD protected gate |
Carcasa | X1-DFN1006-3 |
Curent drena | 0.63A |
Nivel dificultate | Avansat |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 0.75Ω |
Subtip ambalaj | bandă, rolă |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | 20V |
Tensiune poarta-sursa | ±12V |
Tip produs | Datalogger |