Tranzistor N-MOSFET, capsula X1-DFN1006-3, DIODES INCORPORATED - DMN2400UFB4-7

Distribuie
  • 1,17lei

  • Fără TVA:0,98lei

  • 25 sau mai multe 0,37lei
  • 100 sau mai multe 0,32lei
  • 135 sau mai multe 0,26lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula X1-DFN1006-3, DIODES INCORPORATED - DMN2400UFB4-7

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 20V

Capsula: X1-DFN1006-3

Montare: SMD

Putere disipata: 0.47W

Curent drena: 0.63A

Caracteristici
Caracteristici elemente semiconductoare ESD protected gate
Carcasa X1-DFN1006-3
Curent drena 0.63A
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 0.75Ω
Subtip ambalaj bandă, rolă
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 20V
Tensiune poarta-sursa ±12V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha