Tranzistor N-MOSFET, capsula WDFN8, ON SEMICONDUCTOR - FDMC2610

Distribuie

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 200V

Capsula: WDFN8

Montare: SMD

Putere disipata: 42W

Curent drena: 9.5A

Caracteristici

Carcasa	WDFN8
Curent drena	9.5A
Nivel dificultate	Avansat
Polarizare	unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii	397mΩ
Subtip canal	îmbogăţit
Tensiune drena-sursa	200V
Tensiune poarta-sursa	±20V
Tip produs	Datalogger

Spune-ţi opinia

Numele tău:

Opinia ta:

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!

Nota: Rău Bun

Captcha

Introdul codul de verificare