-
42,33lei
- Fără TVA:35,57lei
-
- 3 sau mai multe 36,73lei
- 10 sau mai multe 34,02lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula TO268, IXYS - IXTT96N20P
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 200V
Capsula: TO268
Montare: SMD
Putere disipata: 600W
Curent drena: 96A
Caracteristici
Carcasa | TO268 |
Curent drena | 96A |
Incarcatura poarta | 145nC |
Nivel dificultate | Avansat |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 24mΩ |
Subtip ambalaj | tub |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | 200V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |
Timp de restabilire | 160ns |
Tip produs | Datalogger |