-
50,23lei
- Fără TVA:41,51lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula TO268, IXYS - IXTT96N20P
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 200V
Capsula: TO268
Montare: SMD
Putere disipata: 600W
Curent drena: 96A
Caracteristici
| Carcasa | TO268 |
| Curent drena | 96A |
| Incarcatura poarta | 145nC |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 24mΩ |
| Subtip ambalaj | tub |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 200V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |
| Timp de restabilire | 160ns |
| Tip produs | Datalogger |