-
115,46lei
- Fără TVA:95,42lei
-
- 2 sau mai multe 109,28lei
- 30 sau mai multe 107,68lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula TO268, IXYS - IXTT80N20L
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 200V
Capsula: TO268
Montare: SMD
Putere disipata: 520W
Curent drena: 80A
Caracteristici
| Caracteristici elemente semiconductoare | linear power mosfet |
| Carcasa | TO268 |
| Curent drena | 80A |
| Incarcatura poarta | 180nC |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 32mΩ |
| Subtip ambalaj | tub |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 200V |
| Timp de restabilire | 250ns |
| Tip produs | Datalogger |