-
77,97lei
- Fără TVA:65,52lei
-
- 2 sau mai multe 56,91lei
- 4 sau mai multe 53,85lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula TO268, IXYS - IXTT6N150
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 1.5kV
Capsula: TO268
Montare: SMD
Putere disipata: 540W
Curent drena: 6A
Caracteristici
| Caracteristici elemente semiconductoare | standard power mosfet |
| Carcasa | TO268 |
| Curent drena | 6A |
| Incarcatura poarta | 67nC |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Subtip ambalaj | tub |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 1.5kV |
| Timp de restabilire | 1.5µs |
| Tip produs | Datalogger |