-
96,92lei
- Fără TVA:81,44lei
-
- 2 sau mai multe 66,07lei
- 4 sau mai multe 62,52lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula TO268, IXYS - IXTT6N120
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 1.2kV
Capsula: TO268
Montare: SMD
Putere disipata: 300W
Curent drena: 6A
Caracteristici
| Caracteristici elemente semiconductoare | standard power mosfet |
| Carcasa | TO268 |
| Curent drena | 6A |
| Incarcatura poarta | 56nC |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Subtip ambalaj | tub |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 1.2kV |
| Timp de restabilire | 850ns |
| Tip produs | Datalogger |