-
48,95lei
- Fără TVA:41,13lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula TO268, IXYS - IXTT69N30P
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 300V
Capsula: TO268
Montare: SMD
Putere disipata: 500W
Curent drena: 69A
Caracteristici
| Carcasa | TO268 |
| Curent drena | 69A |
| Incarcatura poarta | 156nC |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 49mΩ |
| Subtip ambalaj | tub |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 300V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |
| Timp de restabilire | 330ns |
| Tip produs | Datalogger |