-
50,72lei
- Fără TVA:42,62lei
-
- 3 sau mai multe 36,98lei
- 6 sau mai multe 35,01lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula TO268, IXYS - IXTT64N25P
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 250V
Capsula: TO268
Montare: SMD
Putere disipata: 400W
Curent drena: 64A
Caracteristici
Carcasa | TO268 |
Curent drena | 64A |
Incarcatura poarta | 105nC |
Nivel dificultate | Avansat |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 49mΩ |
Subtip ambalaj | tub |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | 250V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |
Timp de restabilire | 200ns |
Tip produs | Datalogger |