-
54,27lei
- Fără TVA:45,61lei
-
- 3 sau mai multe 37,02lei
- 6 sau mai multe 35,04lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula TO268, IXYS - IXTT52N30P
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 300V
Capsula: TO268
Montare: SMD
Putere disipata: 400W
Curent drena: 52A
Caracteristici
| Carcasa | TO268 |
| Curent drena | 52A |
| Incarcatura poarta | 110nC |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 73mΩ |
| Subtip ambalaj | tub |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 300V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |
| Timp de restabilire | 250ns |
| Tip produs | Datalogger |