Stimati clienti, va informam ca in perioada 9-24 iunie suntem in concediu. Comenzile plasate in aceasta perioada, vor fi procesate si expediate incepand cu data de 25 iunie. Va multumim pentru intelegere!

Tranzistor N-MOSFET, capsula TO268, IXYS - IXTT52N30P

  • Producător Ixys
  • Cod produs:T123700
Distribuie
  • 54,27lei

  • Fără TVA:45,61lei

  • 3 sau mai multe 37,02lei
  • 6 sau mai multe 35,04lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula TO268, IXYS - IXTT52N30P

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 300V

Capsula: TO268

Montare: SMD

Putere disipata: 400W

Curent drena: 52A

Caracteristici
Carcasa TO268
Curent drena 52A
Incarcatura poarta 110nC
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 73mΩ
Subtip ambalaj tub
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 300V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Timp de restabilire 250ns
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha