Tranzistor N-MOSFET, capsula TO268, IXYS - IXTT170N10P
- Producător Ixys
- Cod produs:T123678
-
83,91lei
- Fără TVA:70,51lei
-
- 2 sau mai multe 61,47lei
- 4 sau mai multe 58,17lei
- Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (292 buc.)
Tranzistor N-MOSFET, capsula TO268, IXYS - IXTT170N10P
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 100V
Capsula: TO268
Montare: SMD
Putere disipata: 715W
Curent drena: 170A
Caracteristici
Carcasa | TO268 |
Curent drena | 170A |
Incarcatura poarta | 198nC |
Nivel dificultate | Avansat |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 9mΩ |
Subtip ambalaj | tub |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | 100V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |
Timp de restabilire | 120ns |
Tip produs | Datalogger |