Tranzistor N-MOSFET, capsula TO268, IXYS - IXTT170N10P

  • Producător Ixys
  • Cod produs:T123678
Distribuie
  • 83,91lei

  • Fără TVA:70,51lei

  • 2 sau mai multe 61,47lei
  • 4 sau mai multe 58,17lei
  • Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (292 buc.)

Tranzistor N-MOSFET, capsula TO268, IXYS - IXTT170N10P

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 100V

Capsula: TO268

Montare: SMD

Putere disipata: 715W

Curent drena: 170A

Caracteristici
Carcasa TO268
Curent drena 170A
Incarcatura poarta 198nC
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 9mΩ
Subtip ambalaj tub
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 100V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Timp de restabilire 120ns
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha