-
87,16lei
- Fără TVA:72,03lei
-
- 3 sau mai multe 83,93lei
- 30 sau mai multe 81,22lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula TO268, IXYS - IXTT12N150
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 1.5kV
Capsula: TO268
Montare: SMD
Putere disipata: 890W
Curent drena: 12A
Caracteristici
| Carcasa | TO268 |
| Curent drena | 12A |
| Incarcatura poarta | 106nC |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 2.2Ω |
| Subtip ambalaj | tub |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 1.5kV |
| Tensiune poarta-sursa | ±30V |
| Timp de restabilire | 1.2µs |
| Tip produs | Datalogger |