Tranzistor N-MOSFET, capsula TO268, IXYS - IXTT10N100D
- Producător Ixys
- Cod produs:T123666
-
101,91lei
- Fără TVA:85,64lei
-
- 3 sau mai multe 96,45lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula TO268, IXYS - IXTT10N100D
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 1kV
Capsula: TO268
Montare: SMD
Putere disipata: 400W
Curent drena: 10A
Caracteristici
| Carcasa | TO268 |
| Curent de drena in impuls | 20A |
| Curent drena | 10A |
| Incarcatura poarta | 130nC |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 1.4Ω |
| Subtip ambalaj | tub |
| Subtip canal | sărăcit |
| Tensiune drena-sursa | 1kV |
| Tensiune poarta-sursa | ±30V |
| Timp de restabilire | 850ns |
| Tip produs | Datalogger |