-
65,94lei
- Fără TVA:55,41lei
-
- 2 sau mai multe 48,13lei
- 5 sau mai multe 45,55lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula TO268, IXYS - IXFT86N30T
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 300V
Capsula: TO268
Montare: SMD
Putere disipata: 860W
Curent drena: 86A
Caracteristici
Caracteristici elemente semiconductoare | thrench gate power mosfet |
Carcasa | TO268 |
Curent drena | 86A |
Incarcatura poarta | 143nC |
Nivel dificultate | Avansat |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 46mΩ |
Subtip ambalaj | tub |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | 300V |
Tip produs | Datalogger |