Tranzistor N-MOSFET, capsula TO268HV, IXYS - IXTT3N200P3HV
- Producător Ixys
- Cod produs:T123694
-
286,51lei
- Fără TVA:240,77lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula TO268HV, IXYS - IXTT3N200P3HV
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 2kV
Capsula: TO268HV
Montare: SMD
Putere disipata: 520W
Curent drena: 3A
Caracteristici
Caracteristici elemente semiconductoare | standard power mosfet |
Carcasa | TO268HV |
Curent drena | 3A |
Incarcatura poarta | 70nC |
Nivel dificultate | Avansat |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 8Ω |
Subtip ambalaj | tub |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | 2kV |
Timp de restabilire | 420ns |
Tip produs | Datalogger |