Tranzistor N-MOSFET, capsula TO268HV, IXYS - IXTT3N200P3HV

  • Producător Ixys
  • Cod produs:T123694
Distribuie
  • 286,51lei

  • Fără TVA:240,77lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula TO268HV, IXYS - IXTT3N200P3HV

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 2kV

Capsula: TO268HV

Montare: SMD

Putere disipata: 520W

Curent drena: 3A

Caracteristici
Caracteristici elemente semiconductoare standard power mosfet
Carcasa TO268HV
Curent drena 3A
Incarcatura poarta 70nC
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii
Subtip ambalaj tub
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 2kV
Timp de restabilire 420ns
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha