Tranzistor N-MOSFET, capsula TO268HV, IXYS - IXTT3N200P3HV
- Producător Ixys
- Cod produs:T123694
-
297,49lei
- Fără TVA:245,86lei
-
- 10 sau mai multe 282,90lei
- 30 sau mai multe 280,74lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula TO268HV, IXYS - IXTT3N200P3HV
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 2kV
Capsula: TO268HV
Montare: SMD
Putere disipata: 520W
Curent drena: 3A
Caracteristici
| Caracteristici elemente semiconductoare | standard power mosfet |
| Carcasa | TO268HV |
| Curent drena | 3A |
| Incarcatura poarta | 70nC |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 8Ω |
| Subtip ambalaj | tub |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 2kV |
| Timp de restabilire | 420ns |
| Tip produs | Datalogger |