Tranzistor N-MOSFET, capsula TO268HV, IXYS - IXTT2N300P3HV

  • Producător Ixys
  • Cod produs:T123685
Distribuie
  • 290,80lei

  • Fără TVA:244,37lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula TO268HV, IXYS - IXTT2N300P3HV

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 3kV

Capsula: TO268HV

Montare: SMD

Putere disipata: 520W

Curent drena: 2A

Caracteristici
Caracteristici elemente semiconductoare standard power mosfet
Carcasa TO268HV
Curent drena 2A
Incarcatura poarta 73nC
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 21Ω
Subtip ambalaj tub
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 3kV
Timp de restabilire 400ns
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha