Tranzistor N-MOSFET, capsula TO268HV, IXYS - IXTT1N300P3HV

  • Producător Ixys
  • Cod produs:T123680
Distribuie
  • 226,37lei

  • Fără TVA:190,23lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula TO268HV, IXYS - IXTT1N300P3HV

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 3kV

Capsula: TO268HV

Montare: SMD

Putere disipata: 195W

Curent drena: 1A

Caracteristici
Caracteristici elemente semiconductoare standard power mosfet
Carcasa TO268HV
Curent drena 1A
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 50Ω
Subtip ambalaj tub
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 3kV
Timp de restabilire 1.8µs
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha