-
15,73lei
- Fără TVA:13,00lei
-
- 3 sau mai multe 14,20lei
- 9 sau mai multe 11,47lei
- 20 sau mai multe 10,86lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula TO263, IXYS - IXTA4N80P
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 800V
Capsula: TO263
Montare: SMD
Putere disipata: 100W
Curent drena: 3.6A
Caracteristici
| Caracteristici elemente semiconductoare | standard power mosfet |
| Carcasa | TO263 |
| Curent de drena in impuls | 8A |
| Curent drena | 3.6A |
| Incarcatura poarta | 14.2nC |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 3.4Ω |
| Subtip ambalaj | tub |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 800V |
| Tensiune poarta-sursa | ±30V |
| Timp de restabilire | 560ns |
| Tip produs | Datalogger |