Tranzistor N-MOSFET, capsula TO263, IXYS - IXTA1R4N100P
- Producător Ixys
- Cod produs:T123607
-
17,97lei
- Fără TVA:15,10lei
-
- 3 sau mai multe 16,10lei
- 7 sau mai multe 13,08lei
- 16 sau mai multe 12,39lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula TO263, IXYS - IXTA1R4N100P
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 1kV
Capsula: TO263
Montare: SMD
Putere disipata: 63W
Curent drena: 1.4A
Caracteristici
| Caracteristici elemente semiconductoare | standard power mosfet |
| Carcasa | TO263 |
| Curent de drena in impuls | 3A |
| Curent drena | 1.4A |
| Incarcatura poarta | 17.8nC |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 11.8Ω |
| Subtip ambalaj | tub |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 1kV |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |
| Timp de restabilire | 750ns |
| Tip produs | Datalogger |