Tranzistor N-MOSFET, capsula TO263HV, IXYS - IXTA1N200P3HV
- Producător Ixys
- Cod produs:T123606
-
59,93lei
- Fără TVA:50,36lei
-
- 3 sau mai multe 43,02lei
- 5 sau mai multe 40,72lei
- 500 sau mai multe 38,41lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula TO263HV, IXYS - IXTA1N200P3HV
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 2kV
Capsula: TO263HV
Montare: SMD
Putere disipata: 125W
Curent drena: 1A
Caracteristici
| Caracteristici elemente semiconductoare | standard power mosfet |
| Carcasa | TO263HV |
| Curent drena | 1A |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 40Ω |
| Subtip ambalaj | tub |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 2kV |
| Timp de restabilire | 2.3µs |
| Tip produs | Datalogger |