-
10,45lei
- Fără TVA:8,63lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula TO252, IXYS - IXTY1N80P
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 800V
Capsula: TO252
Montare: SMD
Putere disipata: 42W
Curent drena: 1A
Caracteristici
| Caracteristici elemente semiconductoare | standard power mosfet |
| Carcasa | TO252 |
| Curent drena | 1A |
| Incarcatura poarta | 9nC |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 14Ω |
| Subtip ambalaj | tub |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 800V |
| Timp de restabilire | 700ns |
| Tip produs | Datalogger |