-
7,73lei
- Fără TVA:6,49lei
-
- 5 sau mai multe 6,97lei
- 16 sau mai multe 5,69lei
- 37 sau mai multe 5,39lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula TO252, IXYS - IXFY4N60P3
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 600V
Capsula: TO252
Montare: SMD
Putere disipata: 114W
Curent drena: 4A
Caracteristici
Carcasa | TO252 |
Curent de drena in impuls | 8A |
Curent drena | 4A |
Incarcatura poarta | 6.9nC |
Nivel dificultate | Avansat |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 2.4Ω |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | 600V |
Tensiune poarta-sursa | ±30V |
Timp de restabilire | 250ns |
Tip produs | Datalogger |