-
7,82lei
- Fără TVA:6,57lei
-
- 5 sau mai multe 7,07lei
- 17 sau mai multe 5,76lei
- 38 sau mai multe 5,45lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula TO252, IXYS - IXFY4N60P3
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 600V
Capsula: TO252
Montare: SMD
Putere disipata: 114W
Curent drena: 4A
Caracteristici
| Carcasa | TO252 |
| Curent de drena in impuls | 8A |
| Curent drena | 4A |
| Incarcatura poarta | 6.9nC |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 2.4Ω |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 600V |
| Tensiune poarta-sursa | ±30V |
| Timp de restabilire | 250ns |
| Tip produs | Datalogger |