-
8,47lei
- Fără TVA:7,00lei
-
- 5 sau mai multe 7,65lei
- 17 sau mai multe 5,93lei
- 39 sau mai multe 5,59lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula TO252, IXYS - IXFY4N60P3
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 600V
Capsula: TO252
Montare: SMD
Putere disipata: 114W
Curent drena: 4A
Caracteristici
| Carcasa | TO252 |
| Curent de drena in impuls | 8A |
| Curent drena | 4A |
| Incarcatura poarta | 6.9nC |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 2.4Ω |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 600V |
| Tensiune poarta-sursa | ±30V |
| Timp de restabilire | 250ns |
| Tip produs | Datalogger |