Tranzistor N-MOSFET, capsula TO252, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD60R600PFD7SAUMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T124570
-
0,00lei
- Fără TVA:0,00lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula TO252, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD60R600PFD7SAUMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 650V
Capsula: TO252
Montare: SMD
Putere disipata: 31W
Curent drena: 4A
Caracteristici
| Caracteristici elemente semiconductoare | ESD protected gate |
| Curent de drena in impuls | 14A |
| Curent drena | 4A |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 1.219Ω |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 650V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |
| Tip produs | Datalogger |