Tranzistor N-MOSFET, capsula TO252, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD60R360PFD7SAUMA1

Distribuie

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 650V

Capsula: TO252

Montare: SMD

Putere disipata: 43W

Curent drena: 6A

Caracteristici

Caracteristici elemente semiconductoare	ESD protected gate
Curent de drena in impuls	24A
Curent drena	6A
Nivel dificultate	Avansat
Rezistenţa in timpul funcţionarii	715mΩ
Subtip canal	îmbogăţit
Tensiune drena-sursa	650V
Tensiune poarta-sursa	±20V
Tip produs	Datalogger

Spune-ţi opinia

Numele tău:

Opinia ta:

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!

Nota: Rău Bun

Captcha

Introdul codul de verificare