Tranzistor N-MOSFET, capsula TO252HV, IXYS - IXTY1R4N120PHV
- Producător Ixys
- Cod produs:T123725
-
24,00lei
- Fără TVA:20,17lei
-
- 5 sau mai multe 21,21lei
- 6 sau mai multe 16,45lei
- 13 sau mai multe 15,55lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula TO252HV, IXYS - IXTY1R4N120PHV
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 1.2kV
Capsula: TO252HV
Montare: SMD
Putere disipata: 86W
Curent drena: 1.4A
Caracteristici
| Caracteristici elemente semiconductoare | standard power mosfet |
| Carcasa | TO252HV |
| Curent de drena in impuls | 3A |
| Curent drena | 1.4A |
| Incarcatura poarta | 24.8nC |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 13Ω |
| Subtip ambalaj | tub |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 1.2kV |
| Tensiune poarta-sursa | ±30V |
| Timp de restabilire | 900ns |
| Tip produs | Datalogger |