Tranzistor N-MOSFET, capsula SuperSOT-3, ON SEMICONDUCTOR - FDN337N

Distribuie
  • 3,86lei

  • Fără TVA:3,25lei

  • 10 sau mai multe 2,15lei
  • 50 sau mai multe 1,86lei
  • 100 sau mai multe 1,51lei
  • Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (4164 buc.)

Tranzistor N-MOSFET, capsula SuperSOT-3, ON SEMICONDUCTOR - FDN337N

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 30V

Capsula: SuperSOT-3

Montare: SMD

Putere disipata: 0.5W

Curent drena: 2.2A

Caracteristici
Caracteristici elemente semiconductoare logic level
Carcasa SuperSOT-3
Curent drena 2.2A
Incarcatura poarta 9nC
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 80mΩ
Subtip ambalaj bandă, rolă
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 30V
Tensiune poarta-sursa ±8V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha