Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT323, YANGJIE TECHNOLOGY - 2N7002KW

Distribuie
  • 0,95lei

  • Fără TVA:0,80lei

  • 60 sau mai multe 0,58lei
  • 335 sau mai multe 0,56lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT323, YANGJIE TECHNOLOGY - 2N7002KW

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 60V

Capsula: SOT323

Montare: SMD

Putere disipata: 0.35W

Curent drena: 0.272A

Caracteristici
Caracteristici elemente semiconductoare ESD protected gate
Carcasa SOT323
Curent de drena in impuls 1.5A
Curent drena 0.272A
Incarcatura poarta 2.4nC
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii
Subtip ambalaj bandă, rolă
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 60V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha