Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT23, YANGJIE TECHNOLOGY - YJL02N10A

Distribuie
  • 0,56lei

  • Fără TVA:0,47lei

  • 100 sau mai multe 0,32lei
  • 380 sau mai multe 0,24lei
  • 870 sau mai multe 0,23lei
  • Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (1810 buc.)

Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT23, YANGJIE TECHNOLOGY - YJL02N10A

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 100V

Capsula: SOT23

Montare: SMD

Putere disipata: 1.2W

Curent drena: 1.6A

Caracteristici
Carcasa SOT23
Curent de drena in impuls 8A
Curent drena 1.6A
Incarcatura poarta 5.3nC
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 310mΩ
Subtip ambalaj bandă, rolă
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 100V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha