Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT23, VISHAY - SQ2364EES-T1_GE3

  • Producător Vishay
  • Cod produs:T124090
Distribuie
  • 4,86lei

  • Fără TVA:4,01lei

  • 10 sau mai multe 3,74lei
  • 25 sau mai multe 3,22lei
  • 38 sau mai multe 2,57lei
  • Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (2452 buc.)

Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT23, VISHAY - SQ2364EES-T1_GE3

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 60V

Capsula: SOT23

Montare: SMD

Putere disipata: 1W

Curent drena: 1.3A

Caracteristici
Caracteristici elemente semiconductoare ESD protected gate
Carcasa SOT23
Curent drena 1.3A
Incarcatura poarta 2nC
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 245mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 60V
Tensiune poarta-sursa ±8V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha