Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT23, VISHAY - SQ2364EES-T1_GE3

  • Producător Vishay
  • Cod produs:T124090
Distribuie
  • 4,32lei

  • Fără TVA:3,63lei

  • 10 sau mai multe 3,09lei
  • 37 sau mai multe 2,49lei
  • 85 sau mai multe 2,36lei
  • Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (1564 buc.)

Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT23, VISHAY - SQ2364EES-T1_GE3

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 60V

Capsula: SOT23

Montare: SMD

Putere disipata: 1W

Curent drena: 1.3A

Caracteristici
Caracteristici elemente semiconductoare ESD protected gate
Carcasa SOT23
Curent drena 1.3A
Incarcatura poarta 2nC
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 245mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 60V
Tensiune poarta-sursa ±8V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha