Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT23, VISHAY - SI2338DS-T1-GE3

  • Producător Vishay
  • Cod produs:T123985
Distribuie
  • 3,85lei

  • Fără TVA:3,18lei

  • 5 sau mai multe 3,40lei
  • 50 sau mai multe 2,41lei
  • 66 sau mai multe 1,45lei
  • Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (157 buc.)

Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT23, VISHAY - SI2338DS-T1-GE3

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 30V

Capsula: SOT23

Montare: SMD

Putere disipata: 1.6W

Curent drena: 6A

Caracteristici
Carcasa SOT23
Curent de drena in impuls 25A
Curent drena 6A
Incarcatura poarta 13nC
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 28mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 30V
Tensiune poarta-sursa ±20V

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha