Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT23, VISHAY - SI2338DS-T1-GE3
- Producător Vishay
- Cod produs:T123985
-
3,35lei
- Fără TVA:2,81lei
-
- 50 sau mai multe 2,40lei
- 65 sau mai multe 1,40lei
- 150 sau mai multe 1,32lei
- Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (2752 buc.)
Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT23, VISHAY - SI2338DS-T1-GE3
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 30V
Capsula: SOT23
Montare: SMD
Putere disipata: 1.6W
Curent drena: 6A
Caracteristici
Carcasa | SOT23 |
Curent de drena in impuls | 25A |
Curent drena | 6A |
Incarcatura poarta | 13nC |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 28mΩ |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | 30V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |