Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT23, ON SEMICONDUCTOR - BVSS123LT1G
- Producător ON Semiconductor
- Cod produs:T122186
-
1,44lei
- Fără TVA:1,21lei
-
- 25 sau mai multe 0,77lei
- 100 sau mai multe 0,68lei
- 150 sau mai multe 0,60lei
- Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (3894 buc.)
Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT23, ON SEMICONDUCTOR - BVSS123LT1G
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 100V
Capsula: SOT23
Montare: SMD
Putere disipata: 0.225W
Curent drena: 0.17A
Caracteristici
Carcasa | SOT23 |
Curent drena | 0.17A |
Nivel dificultate | Avansat |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 6Ω |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | 100V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |
Tip produs | Datalogger |