Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT23, ON SEMICONDUCTOR - BVSS123LT1G

Distribuie
  • 1,44lei

  • Fără TVA:1,21lei

  • 25 sau mai multe 0,77lei
  • 100 sau mai multe 0,68lei
  • 150 sau mai multe 0,60lei
  • Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (3894 buc.)

Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT23, ON SEMICONDUCTOR - BVSS123LT1G

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 100V

Capsula: SOT23

Montare: SMD

Putere disipata: 0.225W

Curent drena: 0.17A

Caracteristici
Carcasa SOT23
Curent drena 0.17A
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 100V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha