Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT23, LUGUANG ELECTRONIC - LGE2300

Distribuie
  • 0,31lei

  • Fără TVA:0,26lei

  • 100 sau mai multe 0,28lei
  • 400 sau mai multe 0,23lei
  • 920 sau mai multe 0,22lei
  • Disponibilitate:În Stoc (5368 buc.)

Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT23, LUGUANG ELECTRONIC - LGE2300

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 20V

Capsula: SOT23

Montare: SMD

Putere disipata: 1.25W

Curent drena: 4A

Caracteristici
Carcasa SOT23
Curent drena 4A
Incarcatura poarta 11nC
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 32mΩ
Subtip ambalaj bandă, rolă
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 20V
Tensiune poarta-sursa ±12V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha